IEC 62416-2010 半导体器件.MOS晶体管上的热载流子试验

作者:标准资料网 时间:2024-05-20 06:59:39  浏览:8636   来源:标准资料网

【英文标准名称】:Semiconductordevices-HotcarriertestonMOStransistors
【原文标准名称】:半导体器件.MOS晶体管上的热载流子试验
【标准号】:IEC62416-2010
【标准状态】:现行
【国别】:国际
【发布日期】:2010-04
【实施或试行日期】:
【发布单位】:国际电工委员会(IX-IEC)
【起草单位】:IEC/TC47
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:电气工程;电子设备及元件;寿命;载荷试验;MOS电路;半导体器件;规范(验收);应力;试验;试验条件;晶体管;薄片
【英文主题词】:Electricalengineering;Electronicequipmentandcomponents;Life(durability);Loadingtests;MOScircuits;Semiconductordevices;Specification(approval);Stress;Testing;Testingconditions;Transistors;Wafers
【摘要】:ThisstandarddescribesthewaferlevelhotcarriertestonNMOSandPMOStransistors.Thetestisintendedtodeterminewhetherthesingletransistorsinacertain(C)MOSprocessmeettherequiredhotcarrierlifetime.
【中国标准分类号】:L42
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:24P.;A4
【正文语种】:英语